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「對!誰稀罕他們的5n光刻機啊!」
在眾人的你一言我一語中,羅甘顫抖著手走上前,像是對待自己的戀人一般,輕輕地撫摸那臺冰冷的機器。
國外的光刻機技術一直都很發達,華國的光刻機技術落後他們大約20年的時間。
所以在光刻機這方面的技術,華國一直被捏住喉嚨。
加上黴國近年來一直試圖聯絡何國各個公司,阻礙他們出口光刻機給華國。
因此在光刻機上的研發,迫在眉睫。
之前做出22n的光刻機,已經足夠讓人興奮的了。
雖然國外的技術超前,但是他們同樣不得不在3n的光刻機面前低頭。
3n是光刻機的最小工藝極限,或者說是euv光刻機的最小工藝極限。
最根本的原因來自於奈米光子工藝極限性,即使有多種技術來操縱光,euv光刻機的波長極限就是135n。
並且半導體的主要材料是矽,然而矽原子直徑大約是012n。
10個矽原子排成一列的程度大約為12n,所以想再突破3n的光刻機,那就涉及到了操縱原子的境界。
或者再重新找到合適的波長,對於euv光刻機,3n是目前的最大極限。
所以即使國外能造出5n的光刻機,對於3n的光刻機也無從下手。
這也是華國最好趕超的時候,大家都做不出來,那就等我們一點一點趕上來。
沒想到就在今天,華國直接一躍從22n飛到令國外頭疼的3n。
這如何不讓人激動!
在他們測試的時候,已經有一隊兵哥將研究室圍的密不透風,一隻蒼蠅都別想飛出去。
路過的研究員看到這個場面一驚,這是發生什麼事了?hr
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